[버핏연구소 홍지윤 연구원]DRAMeXchange에 따르면 글로벌 DRAM 산업의 매출은 2017 년 3 분기에 사상 최고치를 경신 한 것으로 전했다 . 1 분기 성수기와 제한된 공급 증가에 힘 입어 다양한 DRAM 제품의 계약 가격이 3 분기 평균 2 %에서 5 % 정도 급등한 것이다.

DRAMeXchange의 연구 책임자 인 에이브릴 우 (Avril Wu)는 최신 4/4 분기 DRAM 시장 전망에 따르면 순차적 가격 상승률은 평균 약 10 % 정도 상승 할 것이라고 했다. 또한 " 삼성(005930)이 자사 제품의 시세를 눈에 띄게 높였다며, 충분한 재고를 확보를 위해 스마트 폰 제조사는 일반적으로 가격 인상을 수락 할 수밖에 없다." 봤다. 따라서  용량 사양에 따라 모바일 DRAM 제품의 가격은 4 분기에 10 %에서 20 %까지 상승 할 수 있다며,  서버 D 램 시장에서도 4 사분기의 강한 수요로 인해 지난 3 개월간 메모리 모듈의 고정 가격이 6 % ~ 10 % 상승 할 것으로 내다 봤다.

3 분기 D 램 매출 순위에서는 삼성(005930), SK하이닉스(000660), 마이크론이 각각 1, 2, 3 위를 차지했다. 삼성 전자는 2 분기 대비 15.2 %의 매출 신장을 기록해  역사상 가장 높은 88 억 달러를 기록했다.

SK하이닉스(000660)의 매출은 2 분기 대비 22.5 % 증가한 55 억 달러를 기록했다. 매출 시장 점유율은 3 분기에 삼성 전자와 SK 하이닉스가 각각 45.8 %, 28.7 %를 차지했다. 두 기업은 세계 DRAM 시장의 74.5 %를 차지했다.

삼성의 영업 이익률은 62 %로 사상 최고치에 도달했다. SK하이닉스의 영업 이익률은 전분기 54 %에서 56 %로 상승했다. 두 기업은 4 분기에 가격 상승으로 인해 영업 이익률이 다시 상승 할 것으로 예상된다.

기술 및 용량 계획에 있어 삼성의 2017 년 목표는 18nm 생산으로의 전환이다. 그러나 최근 분기 동안 경쟁 업체들의 이익 급증하고 있고 삼성 공급에 의존하고 있는 만큼 삼성은 시장 선두 주자로서 지배력을 유지하기 위해 생산 능력을 확대 할 필요성이 제기되고 있다. 생산량을 늘림으로써 삼성은 공급 부족 상황을 완화하고 경쟁사의 가격 상승을 억제 할 수 있을 것으로 보고 있다.

SK하이닉스는 수율 향상 및 21 나노 공정의 보급 확대에 주력하고 있다. 18nm 공정 기반의 제품은 올해 말 소량 생산 될 예정이다. SK하이닉스는 현재 용량 계획의 관점에서 중국 무석에 12 번째 웨이퍼 팹을 건설 중이다. 이 시설은 가장 빠른시기에 2019 년에 가동 될 것으로 예상된다.[ⓒ무단 전재 및 재배포 금지]